TSM3N80CP ROG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM3N80CP ROG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM3N80CP ROG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

94W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

TSM3N80CP ROGDKR
TSM3N80CP ROGDKR-ND
TSM3N80CPROGDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

696pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM3N80CP ROG".

TSM4435BCS RLG

La description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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