TSM250N02CX RFG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM250N02CX RFG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM250N02CX RFG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.56W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

TSM250N02CX RFGDKR
TSM250N02CX RFGDKR-ND
TSM250N02CXRFGDKR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 5.8A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.8A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM250N02CX RFG".

TSM2N100CH C5G

La description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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