TSM200N03DPQ33 RGG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

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La description

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-PDFN (3x3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max

20W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

TSM200N03DPQ33 RGGTR
TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND
TSM200N03DPQ33RGGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "TSM200N03DPQ33 RGG".

TSM2302CX RFG

La description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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