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TSM150P03PQ33 RGG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM150P03PQ33 RGG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM150P03PQ33 RGG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PDFN (3x3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

27.8W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

TSM150P03PQ33 RGGTR
TSM150P03PQ33 RGGTR-ND
TSM150P03PQ33RGGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1829pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

36A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM150P03PQ33 RGG".

TSM1285BESA+

La description: IC ADC 12BIT 300KSPS 8SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)

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