TSM048NB06LCR RLG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM048NB06LCR RLG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

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La description

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

TSM048NB06LCR RLG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PDFN (5x6)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 136W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerLDFN
Autres noms

TSM048NB06LCRRLGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6253pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 16A (Ta), 107A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

16A (Ta), 107A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM048NB06LCR RLG".

TSM05N03CW RPG

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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