TSM024NA04LCR RLG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM024NA04LCR RLG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM024NA04LCR RLG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PDFN (5x6)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

TSM024NA04LCR RLGTR
TSM024NA04LCR RLGTR-ND
TSM024NA04LCRRLGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4224pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

170A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM024NA04LCR RLG".

TSM-150-05-T-DV

La description: .025 SQ. TERMINAL STRIPS

Fabricant: Samtec, Inc.

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