SFT12G R0G

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Spécifications

Modèle de produit

SFT12G R0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SFT12G R0G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

950mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

TS-1
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

35ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

T-18, Axial
Autres noms

SFT12G R0G-ND
SFT12GR0G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 1A Through Hole TS-1
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "SFT12G R0G".

SFT1341-TL-E

La description: MOSFET P-CH

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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