S3JB R5G

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Spécifications

Modèle de produit

S3JB R5G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

S3JB R5G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.15V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AA (SMB)
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

1.5µs
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AA, SMB
Autres noms

S3JB R5GTR
S3JB R5GTR-ND
S3JBR5GTR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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S3JHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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