S3GB R5G

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Spécifications

Modèle de produit

S3GB R5G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

S3GB R5G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.15V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

400V
Package composant fournisseur

DO-214AA (SMB)
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

1.5µs
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AA, SMB
Autres noms

S3GB R5GTR
S3GB R5GTR-ND
S3GBR5GTR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 400V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

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S3GB

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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