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4657940S1KHM2G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

S1KHM2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S1KHM2G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    S1KHM2G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    800V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AC (SMA)
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    1.5µs
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AC, SMA
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1µA @ 800V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "S1KHM2G".
RNF14BTD681R

RNF14BTD681R

La description: RES 681 OHM 1/4W .1% AXIAL

Fabricant: Stackpole Electronics, Inc.
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