S12JC R7G

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Spécifications

Modèle de produit

S12JC R7G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

S12JC R7G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 12A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AB (SMC)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DO-214AB, SMC
Autres noms

S12JC R7GCT
S12JC R7GCT-ND
S12JCR7GCT
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

12A
Capacité à Vr, F

78pF @ 4V, 1MHz

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S12GC V6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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