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3548127RS3DHM6G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS3DHM6G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS3DHM6G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AB (SMC)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AB, SMC
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    -
RS3G-13-F

RS3G-13-F

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

La description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RS3DB-13

RS3DB-13

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
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RS3G V7G

RS3G V7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3G-13

RS3G-13

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RS3G R7G

RS3G R7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

La description:

Fabricant: Diodes Incorporated
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RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RS3G M6G

RS3G M6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3DHR7G

RS3DHR7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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