RS1JLS RVG

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Spécifications

Modèle de produit

RS1JLS RVG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RS1JLS RVG.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.3V @ 1.2A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

SOD-123HE
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

300ns
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SOD-123H
Autres noms

RS1JLS RVGCT
RS1JLS RVGCT-ND
RS1JLSRVGCT
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount SOD-123HE
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.2A
Capacité à Vr, F

-

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "RS1JLS RVG".

RS1JLHRHG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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