MUR4L60 R0G

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Spécifications

Modèle de produit

MUR4L60 R0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MUR4L60 R0G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.28V @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-201AD
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

50ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-201AD, Axial
Autres noms

MUR4L60 R0G-ND
MUR4L60R0G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 4A Through Hole DO-201AD
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

4A
Capacité à Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "MUR4L60 R0G".

MUR5010R

La description: DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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