KBP103G C2

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Spécifications

Modèle de produit

KBP103G C2
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

KBP103G C2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

200V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 1A
La technologie

Standard
Package composant fournisseur

KBP
Séries

-
Package / Boîte

4-SIP, KBP
Autres noms

KBP103G C2-ND
KBP103GC2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Single Phase
Description détaillée

Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBP
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "KBP103G C2".

KBP08M-E4/45

La description: DIODE 1.5A 800V KBPM

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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