HS3DB R5G

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Spécifications

Modèle de produit

HS3DB R5G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

HS3DB R5G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
Package composant fournisseur

DO-214AA (SMB)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

50ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AA, SMB
Autres noms

HS3DB R5GTR
HS3DB R5GTR-ND
HS3DBR5GTR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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HS3B R7G

La description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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