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4120827HS1ML RVG imageTSC (Taiwan Semiconductor)

HS1ML RVG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    HS1ML RVG
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    HS1ML RVG.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    1000V
  • Package composant fournisseur
    Sub SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    75ns
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    DO-219AB
  • Autres noms
    HS1ML RVGDKR
    HS1ML RVGDKR-ND
    HS1MLRVGDKR
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 1000V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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2220J0250223KFR

2220J0250223KFR

La description: CAP CER 0.022UF 25V C0G/NP0 2220

Fabricant: Knowles Syfer
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RFQ

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