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1706637HS1F R3G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

HS1F R3G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    HS1F R3G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    HS1F R3G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    300V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AC (SMA)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    50ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AC, SMA
  • Autres noms
    HS1F R3G-ND
    HS1FR3G
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 300V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 300V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "HS1F R3G".
JANTXV1N6639

JANTXV1N6639

La description: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Fabricant: Microsemi
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