HER308G R0G

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Spécifications

Modèle de produit

HER308G R0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 3A DO201AD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

HER308G R0G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 3A
Package composant fournisseur

DO-201AD
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-201AD, Axial
Autres noms

HER308G R0G-ND
HER308GR0G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 3A Through Hole DO-201AD
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

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Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "HER308G R0G".

HER308GA-G

La description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

Fabricant: Comchip Technology

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