GP1003HC0G

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Spécifications

Modèle de produit

GP1003HC0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

GP1003HC0G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
Package composant fournisseur

TO-220AB
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

Automotive, AEC-Q101
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Configuration diode

1 Pair Common Cathode
Description détaillée

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Through Hole TO-220-3
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 200V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

10A

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La description: GP100H3M54TEZ, 6000W, -54V, 380/

Fabricant: GE Critical Power

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