F1T5G R0G

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Spécifications

Modèle de produit

F1T5G R0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

F1T5G R0G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.3V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

TS-1
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

250ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

T-18, Axial
Autres noms

F1T5G R0G-ND
F1T5GR0G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 1A Through Hole TS-1
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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F1T5G A1G

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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