ESH2B R5G

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Spécifications

Modèle de produit

ESH2B R5G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ESH2B R5G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

900mV @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

DO-214AA (SMB)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

20ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AA, SMB
Autres noms

ESH2B R5G-ND
ESH2BR5G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr

2µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

2A
Capacité à Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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ESH2B-E3/5BT

La description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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