ESH1B R3G

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Spécifications

Modèle de produit

ESH1B R3G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ESH1B R3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

900mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

DO-214AC (SMA)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

15ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

ESH1B R3G-ND
ESH1BR3G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

16pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "ESH1B R3G".

ESH1BHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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