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ES3JB R5G

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Spécifications

Modèle de produit

ES3JB R5G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ES3JB R5G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.45V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AA (SMB)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

35ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AA, SMB
Autres noms

ES3JB R5GTR
ES3JB R5GTR-ND
ES3JBR5GTR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

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