ES2LJ R5G

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Spécifications

Modèle de produit

ES2LJ R5G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ES2LJ R5G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AA (SMB)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

35ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AA, SMB
Autres noms

ES2LJ R5G-ND
ES2LJR5G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

2A
Capacité à Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "ES2LJ R5G".

ES2P41653

La description: SWITCH PUSHBUTTON DPST 1A 24V

Fabricant: APEM Inc.

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