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156907ES2BHM4G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

ES2BHM4G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ES2BHM4G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    950mV @ 2A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    100V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AA (SMB)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    35ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AA, SMB
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 100V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    2A
  • Capacité à Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
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