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1223766ES1AL RTG imageTSC (Taiwan Semiconductor)

ES1AL RTG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ES1AL RTG
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ES1AL RTG.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    950mV @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    50V
  • Package composant fournisseur
    Sub SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    35ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-219AB
  • Autres noms
    ES1AL RTG-ND
    ES1ALRTG
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    21 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 50V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 1V, 1MHz

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C322C153K2R5TA

C322C153K2R5TA

La description: CAP CER 0.015UF 200V X7R RADIAL

Fabricant: KEMET
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