BYG21M R3G

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Spécifications

Modèle de produit

BYG21M R3G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BYG21M R3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.6V @ 1.5A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

DO-214AC (SMA)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

120ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

BYG21M R3GTR
BYG21M R3GTR-ND
BYG21MR3GTR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Avalanche
Description détaillée

Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.5A
Capacité à Vr, F

13pF @ 4V, 1MHz

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BYG21M-E3/TR

La description:

Fabricant: VISHAY

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