S3HVM10

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Spécifications

Modèle de produit

S3HVM10
Fabricant / marque

Semtech
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 10KV 1.2A MODULE
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

S3HVM10.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.2A
Tension - Ventilation

-
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

Module
Température d'utilisation - Jonction

2.5µs
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Référence fabricant

S3HVM10
Description élargie

Diode Standard 10000V (10kV) 1.2A Chassis, Stud Mount
Configuration diode

1µA @ 10000V
La description

DIODE GEN PURP 10KV 1.2A MODULE
Courant - fuite, inverse à Vr

11.5V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

10000V (10kV)
Capacité à Vr, F

-55°C ~ 150°C

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livraison
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S3HVM2.5

La description: DIODE GEN PURP 2.5KV 3A MODULE

Fabricant: Semtech Corporation

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