1N5802US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5802US
Fabricant / marque

Semtech
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 1.1A
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

1N5802US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

875mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

50V
Package composant fournisseur

-
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

25ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF
Autres noms

1N5802USS
Température d'utilisation - Jonction

-
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

46 Weeks
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 50V 1.1A Surface Mount
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.1A
Capacité à Vr, F

25pF @ 5V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "1N5802US".

1N5806US

La description: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Fabricant: Microsemi

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