1N5554US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5554US
Fabricant / marque

Semtech
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 1KV 5A
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

1N5554US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

-
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF
Autres noms

1N5554USS
Température d'utilisation - Jonction

-
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 5A Surface Mount
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

5A
Capacité à Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "1N5554US".

1N5610

La description: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Fabricant: Microsemi

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