ULN2069B

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Spécifications

Modèle de produit

ULN2069B
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ULN2069B.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Transistor Type

4 NPN Darlington (Quad)
Package composant fournisseur

16-PowerDIP (20x7.10)
Séries

-
Puissance - Max

1W
Emballage

Tube
Package / Boîte

16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms

497-2352-5
Température de fonctionnement

-20°C ~ 85°C (TA)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.75A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "ULN2069B".

ULN2004APG,C,N

La description: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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