Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STY105NM50N
Demander une offre en ligne
Français
2753357STY105NM50N imageSTMicroelectronics

STY105NM50N

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$24.15
30+
$20.528
120+
$19.079
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    STY105NM50N
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    MAX247™
  • Séries
    MDmesh™ II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 52A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    625W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    497-13290-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    9600pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    326nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    500V
  • Description détaillée
    N-Channel 500V 110A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    110A (Tc)
PMCM4401UPEZ

PMCM4401UPEZ

La description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP

Fabricant: Nexperia
En stock
HUF76639S3ST-F085

HUF76639S3ST-F085

La description: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
STY140NS10

STY140NS10

La description: MOSFET N-CH 100V 140A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY100NS20FD

STY100NS20FD

La description: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
NVTFS5124PLTWG

NVTFS5124PLTWG

La description: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
STY60NK30Z

STY60NK30Z

La description:

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY60NM50

STY60NM50

La description:

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY130NF20D

STY130NF20D

La description: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY60NM60

STY60NM60

La description: MOSFET N-CH 600V 60A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY30NK90Z

STY30NK90Z

La description: MOSFET N-CH 900V 26A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY34NB50

STY34NB50

La description: MOSFET N-CH 500V 34A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY145N65M5

STY145N65M5

La description:

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY139N65M5

STY139N65M5

La description: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY112N65M5

STY112N65M5

La description: MOSFET N-CH 650V 93A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
STY100NM60N

STY100NM60N

La description: MOSFET N CH 600V 98A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
DN2470K4-G

DN2470K4-G

La description:

Fabricant: Microchip Technology Inc
En stock
STY80NM60N

STY80NM60N

La description: MOSFET N-CH 600V 74A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
IRFU4105ZTRR

IRFU4105ZTRR

La description: MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
STY50N105DK5

STY50N105DK5

La description: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
IRFR3707ZPBF

IRFR3707ZPBF

La description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock

Review (1)

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter