STW8NB100

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Spécifications

Modèle de produit

STW8NB100
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

STW8NB100.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.45 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

190W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-2646-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 7.3A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STW8NB100".

STW8Q14BE-T0,T5,U0,U7-ET-PCK

La description: LED SMD NEUTRAL WHITE 3950K

Fabricant: Seoul Semiconductor

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