STW33N60M2

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Spécifications

Modèle de produit

STW33N60M2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW33N60M2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247
Séries

MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

190W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-14293-5
STW33N60M2-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1781pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

45.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

26A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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Fabricant: STMicroelectronics

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