STU16N65M2

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Spécifications

Modèle de produit

STU16N65M2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STU16N65M2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

IPAK (TO-251)
Séries

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

497-15248-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

718pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

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