STTH4R02B

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Spécifications

Modèle de produit

STTH4R02B
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STTH4R02B.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

4A
Tension - Ventilation

D-Pak
Séries

-
État RoHS

Tube
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température d'utilisation - Jonction

30ns
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Référence fabricant

STTH4R02B
Description élargie

Diode Standard 200V 4A Surface Mount D-Pak
Configuration diode

3µA @ 200V
La description

DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr

1.05V @ 4A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

175°C (Max)

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STTH4R02SY

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