STTH312B

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Spécifications

Modèle de produit

STTH312B
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STTH312B.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

3A
Tension - Ventilation

D-Pak
Séries

-
État RoHS

Tube
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température d'utilisation - Jonction

115ns
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Référence fabricant

STTH312B
Description élargie

Diode Standard 1200V (1.2kV) 3A Surface Mount D-Pak
Configuration diode

10µA @ 1200V
La description

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr

2V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F

175°C (Max)

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Ce qui suit est des produits liés à "STTH312B".

STTH31AC06SWL

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricant: STMicroelectronics

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