STT3P2UH7

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Spécifications

Modèle de produit

STT3P2UH7
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STT3P2UH7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-6
Séries

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SOT-23-6
Autres noms

497-15156-1
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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STT7P2UH7

La description: MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6

Fabricant: STMicroelectronics

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