STS10DN3LH5

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Spécifications

Modèle de produit

STS10DN3LH5
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STS10DN3LH5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 5A, 10V
Puissance - Max

2.5W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

497-10011-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A

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Ce qui suit est des produits liés à "STS10DN3LH5".

STS110003L360500U129

La description: THERMISTOR PTC 1K OHM 3% RADIAL

Fabricant: Cantherm

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