STP35N60DM2

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Spécifications

Modèle de produit

STP35N60DM2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STP35N60DM2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)

210W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-16359-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Tc)

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