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STP16N65M5

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STP16N65M5
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STP16N65M5.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220-3
  • Séries
    MDmesh™ V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    299 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    90W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    497-8788-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1250pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STP16N65M5".
SE20AFDHM3/6A

SE20AFDHM3/6A

La description: DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
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