STP150N10F7

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Spécifications

Modèle de produit

STP150N10F7
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STP150N10F7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-14570-5
STP150N10F7-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8115pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

110A (Tc)

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STP14NF10

La description: MOSFET N-CH 100V 15A TO-220

Fabricant: STMicroelectronics

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