STP10NM65N

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Spécifications

Modèle de produit

STP10NM65N
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STP10NM65N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

480 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

90W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-7499-5
STP10NM65N-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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