STP10N62K3

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Spécifications

Modèle de produit

STP10N62K3
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STP10N62K3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-9099-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

620V
Description détaillée

N-Channel 620V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.4A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STP10N62K3".

09553567615741

La description: CONN DSUB RCPT 25POS SMD R/A SLD

Fabricant: HARTING

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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