STL9P2UH7

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Spécifications

Modèle de produit

STL9P2UH7
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STL9P2UH7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Séries

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.9W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

497-15147-2
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 9A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STL9P2UH7".

STL90N3LLH6

La description: MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6

Fabricant: STMicroelectronics

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