STL12N60M2

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Spécifications

Modèle de produit

STL12N60M2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STL12N60M2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerFlat™ (5x6) HV
Séries

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

495 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

52W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

497-16039-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

538pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 6.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.5A (Tc)

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STL120N4F6AG

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