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STL11N4LLF5

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STL11N4LLF5
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STL11N4LLF5.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • Séries
    STripFET™ V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.7 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.9W (Ta), 50W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Autres noms
    497-13650-6
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1570pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    12.9nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 11A (Tc) 2.9W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    11A (Tc)

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ERZ-VF2M121

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La description: VARISTOR 120V 600A 2SMD JLEAD

Fabricant: Panasonic
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