STI90N4F3

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Spécifications

Modèle de produit

STI90N4F3
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STI90N4F3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK
Séries

STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "STI90N4F3".

STIDMW840042112AAA

La description: LED ENG ROUND62B NEU WHITE RND

Fabricant: Samsung Semiconductor

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