STI34N65M5

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Spécifications

Modèle de produit

STI34N65M5
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STI34N65M5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAKFP (TO-281)
Séries

MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)

190W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms

497-13439
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

62.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Tc)

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